沟槽型绝缘栅双极晶体管的沟槽栅结构

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专利状态

沟槽型绝缘栅双极晶体管的沟槽栅结构

失效

专利申请进度

申请

2013-12-12

授权

2014-06-04

预估到期

2023-12-12

专利基础信息

申请号	CN201320821236.2	申请日	2013-12-12
授权公布号	CN203631558U	授权公告日	2014-06-04
分类号	H01L29/423
分类	基本电气元件;
申请人名称	江苏宏微科技股份有限公司
申请人地址	江苏省常州市新北区华山中路18号

专利法律状态

2023-12-29

专利权的终止

状态信息

专利权有效期届满；IPC(主分类):H01L 29/423；专利号:ZL2013208212362；申请日:20131212；授权公告日:20140604；终止日期:
2014-06-04

授权

状态信息

授权

摘要

本实用新型涉及一种沟槽型绝缘栅双极晶体管的沟槽栅结构，所述沟槽栅的栅孔引线顶部与栅极金属相接、底部与阻挡氧化层和多晶硅栅引线相连，所述的多晶硅栅引线通过栅氧化层设置在由阻挡氧化层和场氧化层形成的引线沟槽内，多晶硅栅引线是在硅片沟槽内的多晶硅层的外周，阻挡氧化层位于场氧化层的上部并形成引线沟槽的凸台。本实用新型将多晶硅层周边的多晶硅栅引线埋在由阻挡氧化层和场氧化层形成的引线沟槽内，对栅极引线孔的宽度设计没有特殊要求，能简化制作工艺，降低制作成本。

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