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专利状态
一种功率器件及其制作方法
有效
专利申请进度
申请
2020-09-24
申请公布
2020-11-13
授权
2021-01-05
预估到期
2040-09-24
专利基础信息
申请号 CN202011012348.4 申请日 2020-09-24
申请公布号 CN111933690A 申请公布日 2020-11-13
授权公布号 CN111933690B 授权公告日 2021-01-05
分类号 H01L29/06
分类 基本电气元件;
申请人名称 江苏宏微科技股份有限公司
申请人地址 江苏省常州市新北区华山中路18号
专利法律状态
  • 2021-01-05
    授权
    状态信息
    授权
  • 2020-12-01
    实质审查的生效
    状态信息
    实质审查的生效
  • 2020-11-13
    公布
    状态信息
    公布
摘要
本发明涉及半导体技术领域,具体涉及一种功率器件,包括N基体、P‑外延层和栅极,所述N基体上形成P‑外延层,所述P‑外延层内设有沟槽,所述P‑外延层内形成有相互隔离的第一N+层和第二N+层,所述第一N+层电连接位于所述P‑外延层表面的源极,所述第二N+层电连接位于所述N基体底部的漏极,所述栅极至少一部分形成在所述沟槽内,且所述栅极沿着所述第一N+层和第二N+层的排布方向延伸,当所述栅极施加开启电压时,所述第一N+层和第二N+层之间的P‑沟道层形成横向的导电沟道。本发明提供的一种功率器件,增加了导电沟道的宽度,降低了沟道电阻,同时可保护栅氧化层,防止栅氧化层烧毁。