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专利状态
一种功率器件及其制作方法
有效
专利申请进度
申请
2020-09-24
申请公布
2020-11-13
授权
2021-01-05
预估到期
2040-09-24
专利基础信息
申请号
CN202011012348.4
申请日
2020-09-24
申请公布号
CN111933690A
申请公布日
2020-11-13
授权公布号
CN111933690B
授权公告日
2021-01-05
分类号
H01L29/06
分类
基本电气元件;
申请人名称
江苏宏微科技股份有限公司
申请人地址
江苏省常州市新北区华山中路18号
专利法律状态
2021-01-05
授权
状态信息
授权
2020-12-01
实质审查的生效
状态信息
实质审查的生效
2020-11-13
公布
状态信息
公布
摘要
本发明涉及半导体技术领域,具体涉及一种功率器件,包括N基体、P‑外延层和栅极,所述N基体上形成P‑外延层,所述P‑外延层内设有沟槽,所述P‑外延层内形成有相互隔离的第一N+层和第二N+层,所述第一N+层电连接位于所述P‑外延层表面的源极,所述第二N+层电连接位于所述N基体底部的漏极,所述栅极至少一部分形成在所述沟槽内,且所述栅极沿着所述第一N+层和第二N+层的排布方向延伸,当所述栅极施加开启电压时,所述第一N+层和第二N+层之间的P‑沟道层形成横向的导电沟道。本发明提供的一种功率器件,增加了导电沟道的宽度,降低了沟道电阻,同时可保护栅氧化层,防止栅氧化层烧毁。
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