一种用于铸造晶体硅的大尺寸籽晶块

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专利状态

一种用于铸造晶体硅的大尺寸籽晶块

有效

专利申请进度

申请

2016-09-23

授权

2017-05-24

预估到期

2026-09-23

专利基础信息

申请号	CN201621076839.4	申请日	2016-09-23
授权公布号	CN206188925U	授权公告日	2017-05-24
分类号	C30B28/06;C30B29/06
分类	晶体生长〔3〕;
申请人名称	江西赛维LDK太阳能高科技有限公司
申请人地址	江西省新余市高新区赛维大道1950号赛维工业园技术研究院

专利法律状态

2017-05-24

授权

状态信息

授权

摘要

本实用新型提供了一种用于铸造晶体硅的大尺寸籽晶块，铺设于坩埚底部，其特征在于，所述籽晶块的面积的整数倍等于坩埚底部的面积，所述籽晶块的长度为200‑1400mm，宽度或高度为200‑1400mm，厚度为10‑100mm。本实用新型提供的大尺寸籽晶块铺设在坩埚底部没有缝隙或缝隙较少，使得籽晶的形核更加容易控制，得到更高质量的硅锭。且该制备方法简单易操作，成本低。

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