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专利状态

一种多晶硅铸锭炉

有效

专利申请进度

申请

2016-08-17

授权

2017-05-24

预估到期

2026-08-17

专利基础信息

申请号	CN201620889097.0	申请日	2016-08-17
授权公布号	CN206188924U	授权公告日	2017-05-24
分类号	C30B28/06;C30B29/06
分类	晶体生长〔3〕;
申请人名称	江西赛维LDK太阳能高科技有限公司
申请人地址	江西省新余市高新区赛维大道1950号赛维工业园技术研究院

专利法律状态

2017-05-24

授权

状态信息

授权

摘要

本实用新型提供了一种多晶硅铸锭炉，该铸锭炉内设置有坩埚、护板、盖板、底板，坩埚放置在底板上，护板设置在坩埚外侧，盖板设置在坩埚上方，在所述护板四周的上方位置还设置有保温材料。由于保温材料仅设置在护板上方的位置，靠近坩埚底部的区域温度相对较高，有利于增强硅液对流，减少杂质的富集。在长晶阶段，不仅能够有效抑制坩埚侧壁形核，向坩埚中心杂乱生长，同时还能避免与竖直方向生长的晶粒冲突，形成大量晶体缺陷，由此得到的长晶界面更加平整的高质量硅锭。

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