多晶硅锭及其制备方法、多晶硅片和多晶硅铸锭用坩埚

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专利状态

多晶硅锭及其制备方法、多晶硅片和多晶硅铸锭用坩埚

有效

专利申请进度

申请

2012-04-01

申请公布

2012-11-14

授权

2017-12-15

预估到期

2032-04-01

专利基础信息

申请号	CN201210096291.X	申请日	2012-04-01
申请公布号	CN102776561A	申请公布日	2012-11-14
授权公布号	CN102776561B	授权公告日	2017-12-15
分类号	C30B28/06;C30B29/06
分类	晶体生长〔3〕;
申请人名称	江西赛维LDK太阳能高科技有限公司
申请人地址	江西省新余市高新经济开发区赛维工业园专利办公室

专利法律状态

2017-12-15

授权

状态信息

授权
2013-01-02

实质审查的生效

状态信息

实质审查的生效IPC(主分类):C30B 28/06申请日:20120401
2012-11-14

公布

状态信息

公开

摘要

本发明提供了多晶硅锭的制备方法，包括以下步骤：在坩埚底部设置形核源，形成形核源层；在所述形核源层上设置熔融状态的硅料；控制所述坩埚内的温度沿垂直与所述坩埚底部向上的方向逐渐上升形成温度梯度，使得所述熔融状态的硅料利用所述形核源形核结晶，制得多晶硅锭。本发明还提供了通过该制备方法获得的高质量的多晶硅锭，以及利用所述多晶硅锭制备获得的多晶硅片和多晶硅铸锭用坩埚。该制备方法制得的多晶硅锭晶粒大小均匀、规则、位错密度低且无明显的枝晶和孪晶。

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