一种表征晶体硅生长界面和生长速度的方法

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专利状态

一种表征晶体硅生长界面和生长速度的方法

失效

专利申请进度

申请

2016-03-10

申请公布

2016-07-20

授权

2017-11-28

预估到期

2036-03-10

专利基础信息

申请号	CN201610136770.8	申请日	2016-03-10
申请公布号	CN105780113A	申请公布日	2016-07-20
授权公布号	CN105780113B	授权公告日	2017-11-28
分类号	C30B29/06;C30B11/00;C30B28/06
分类	晶体生长〔3〕;
申请人名称	江西赛维LDK太阳能高科技有限公司
申请人地址	江西省新余市高新经济开发区赛维工业园专利办公室

专利法律状态

2024-03-19

专利权的终止

状态信息

未缴年费专利权终止；IPC(主分类):C30B29/06；申请日:20160310；授权公告日:20171128
2017-11-28

授权

状态信息

授权
2016-08-17

实质审查的生效

状态信息

实质审查的生效；IPC(主分类):C30B29/06；申请日:20160310
2016-07-20

公布

状态信息

公布

摘要

本发明提供了一种表征晶体硅生长界面和生长速度的方法，包括以下步骤：在晶体硅生长过程中，向铸锭炉中引入含氧元素气体或掺杂有硅氧化物粉末的气体，含氧元素气体或掺杂有硅氧化物粉末的气体随着晶体硅的生长在晶体硅中形成氧沉淀和间隙氧，得到富含氧元素的富氧层，长晶完成后得到晶体硅，根据富氧层的生长界面获得晶体硅的生长界面，根据富氧层在晶体硅中的高度或富氧层的厚度计算得到晶体硅的生长速度。本发明在晶体硅生长过程中引入含氧元素气体或掺杂有硅氧化物粉末的气体，氧元素在晶体硅中形成氧沉淀和间隙氧，从而在晶体中形成富氧层，根据富氧层可以表征晶体硅生长界面和生长速度，表征精确度较高。

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