一种籽晶的铺设方法、准单晶硅片的制备方法及准单晶硅片

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专利状态

一种籽晶的铺设方法、准单晶硅片的制备方法及准单晶硅片

有效

专利申请进度

申请

2015-04-15

申请公布

2015-09-16

授权

2017-11-28

预估到期

2035-04-15

专利基础信息

申请号	CN201510177748.3	申请日	2015-04-15
申请公布号	CN104911691A	申请公布日	2015-09-16
授权公布号	CN104911691B	授权公告日	2017-11-28
分类号	C30B11/14;C30B29/06
分类	晶体生长〔3〕;
申请人名称	江西赛维LDK太阳能高科技有限公司
申请人地址	江西省新余市高新经济开发区赛维工业园专利办公室

专利法律状态

2017-11-28

授权

状态信息

授权
2015-10-14

实质审查的生效

状态信息

实质审查的生效IPC(主分类):C30B 11/14申请日:20150415
2015-09-16

公布

状态信息

公布

摘要

本发明提供了一种籽晶的铺设方法，用于准单晶的铸造，包括以下步骤：在坩埚底部铺设籽晶，所述籽晶的生长面晶向同为[001]或同为所述籽晶紧密接触铺满所述坩埚底部形成籽晶层，相邻两个籽晶接触的侧面晶向属于同一晶向族且构成重合位置点阵类型的晶界:当籽晶的侧面晶向为<110>时，将相邻籽晶生长面晶向按[001]、正反面交替拼接或将相邻籽晶中的一个籽晶旋转90°；当籽晶的侧面晶向为非<110>晶向族时，将相邻籽晶生长面晶向按正反面交替拼接，或按正反面交替拼接后再将相邻籽晶中的一个籽晶旋转90°。本发明通过铺设籽晶减少了引晶过程中位错源的发生；本发明还提供了一种准单晶硅片的制备方法及准单晶硅片。

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