一种多晶硅锭及其制备方法

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专利状态

一种多晶硅锭及其制备方法

有效

专利申请进度

申请

2016-04-14

申请公布

2016-07-13

授权

2018-04-17

预估到期

2036-04-14

专利基础信息

申请号	CN201610230120.X	申请日	2016-04-14
申请公布号	CN105755537A	申请公布日	2016-07-13
授权公布号	CN105755537B	授权公告日	2018-04-17
分类号	C30B28/06;C30B29/06
分类	晶体生长〔3〕;
申请人名称	江西赛维LDK太阳能高科技有限公司
申请人地址	江西省新余市高新经济开发区赛维工业园专利办公室

专利法律状态

2018-04-17

授权

状态信息

授权
2016-08-10

实质审查的生效

状态信息

实质审查的生效IPC(主分类):C30B 28/06申请日:20160414
2016-07-13

公布

状态信息

公开

摘要

本发明提供了一种多晶硅锭的制备方法，包括：在坩埚底部中心铺设普通籽晶形成第一籽晶层，在坩埚底部靠近坩埚侧壁的区域铺设具有高密度晶体缺陷的籽晶，形成第二籽晶层；在第一籽晶层和第二籽晶层上设置熔融状态的硅料，控制坩埚底部的温度，使所述第一籽晶层和第二籽晶层不被完全熔化；控制坩埚内热场形成过冷度，并控制坩埚内的温度沿垂直于坩埚底部向上的方向逐渐上升形成温度梯度，使得熔化后的硅料结晶凝固，待全部结晶完后，经退火冷却得到多晶硅锭。本发明方法能有效降低硅锭边部区域的硅晶体缺陷密度和杂质含量，提高硅锭的整体质量。本发明还提供了由该方法制备得到的多晶硅锭。

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