一种单晶硅铸锭的装料方法及单晶硅铸锭方法

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专利状态

一种单晶硅铸锭的装料方法及单晶硅铸锭方法

有效

专利申请进度

申请

2011-04-25

申请公布

2012-10-31

授权

2015-04-08

预估到期

2031-04-25

专利基础信息

申请号	CN201110103022.7	申请日	2011-04-25
申请公布号	CN102758242A	申请公布日	2012-10-31
授权公布号	CN102758242B	授权公告日	2015-04-08
分类号	C30B11/00;C30B29/06
分类	晶体生长〔3〕;
申请人名称	江西赛维LDK太阳能高科技有限公司
申请人地址	江西省新余市高新经济开发区赛维工业园专利办公室

专利法律状态

2015-04-08

授权

状态信息

授权
2012-12-26

实质审查的生效

状态信息

实质审查的生效IPC(主分类):C30B 11/00申请日:20110425
2012-10-31

公布

状态信息

公开

摘要

本发明公开了一种单晶硅铸锭的装料方法，该方法包括：在坩埚底面上放置多个籽晶；在所述籽晶与籽晶之间和籽晶与坩埚壁之间的空隙中填充熔点不低于硅的一种或多种填充物；在所述籽晶的表面放置用于铸锭的硅原料。本发明还公开了一种单晶硅铸锭的方法，实现了在坩埚中装硅原料时，在所述籽晶与籽晶之间和籽晶与坩埚壁之间的空隙中填充熔点不低于硅的填充物，防止硅原料熔化时熔融硅通过所述籽晶与籽晶和籽晶与坩埚壁之间的空隙渗透进去导致籽晶浮起和熔化，以及按硅原料导热系数高低分层次的装料方式增加单晶铸锭过程中增大了温度的梯度，避免了熔融硅过早的接触籽晶而导致籽晶过快的熔化使得单晶铸锭过程难以控制。

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