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专利状态

硅片刻蚀装置

有效

专利申请进度

申请

2021-04-20

授权

2021-11-05

预估到期

2031-04-20

专利基础信息

申请号	CN202120817871.8	申请日	2021-04-20
授权公布号	CN214624988U	授权公告日	2021-11-05
分类号	H01L21/67
分类	基本电气元件;
申请人名称	常州亿晶光电科技有限公司
申请人地址	江苏省常州市金坛区尧塘镇金武路18号

专利法律状态

2021-11-05

授权

状态信息

授权

摘要

本实用新型涉及硅片生产设备技术领域，尤其是涉及一种硅片刻蚀装置，包括用于对硅片单面喷射介质的喷淋装置、用于对硅片进行支撑的支撑机构和用于限制硅片位移范围的第一限位机构，所述支撑机构位于喷淋机构和第一限位机构之间，当硅片放置在支撑机构上时，所述硅片与第一限制机构之间具有间隙，当所述喷淋装置对硅片单面喷射介质时，使用时，通过将硅片放置在支撑机构上进行支撑，而喷淋机构对硅片的单面进行喷淋介质，在介质的作用力下硅片悬浮并与限位机构接触，限位机构限制了硅片在支撑机构和限位机构之间的位移范围，由原有的浸泡改为喷淋，不会出现硅片由于介质波动而翻越至硅片另一面的现象，保证了硅片生产稳定可。

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