开膜式双面TOPCon电池的制备方法

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专利状态

开膜式双面TOPCon电池的制备方法

有效

专利申请进度

申请

2023-10-30

申请公布

2023-12-01

授权

2024-01-02

预估到期

2043-10-30

专利基础信息

申请号	CN202311413475.9	申请日	2023-10-30
申请公布号	CN117153953A	申请公布日	2023-12-01
授权公布号	CN117153953B	授权公告日	2024-01-02
分类号	H01L31/18;H01L31/068
分类	基本电气元件;
申请人名称	常州亿晶光电科技有限公司
申请人地址	江苏省常州市金坛区尧塘镇金武路18号

专利法律状态

2024-01-02

授权

状态信息

授权
2023-12-19

实质审查的生效

状态信息

实质审查的生效；IPC(主分类):H01L31/18；申请日:20231030
2023-12-01

公布

状态信息

公布

摘要

本发明提供一种开膜式双面TOPCon电池的制备方法，通过激光开膜去除正面非电极图形区域的二氧化硅层，在RCA清洗时，正面非电极图形区域的非晶硅没有二氧化硅层的保护被碱液刻蚀掉，非晶硅腐蚀到遂穿氧化层即终止刻蚀，而正面电极图形区域及背面非晶硅层由于有二氧化硅层的保护则不会被碱液刻蚀掉，此时硅片正面电极图形区域为遂穿氧加多晶硅的POLO结构，避免了正面电极直接与硅基底接触，实现TOPCon电池的双面钝化，本方法无需使用掩膜及其他昂贵设备，工艺步骤简洁，通过现有TOPCon产线设备即可完成，无需额外购置设备，节约了双面TOPCon电池的生产成本，有利于双面TOPCon电池的大规模生产。

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