沟槽式快恢复二极管_专利查询-品牌网

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专利状态

沟槽式快恢复二极管

审中

专利申请进度

申请

2014-12-18

授权

2015-04-29

预估到期

2024-12-18

专利基础信息

申请号	CN201420806984.8	申请日	2014-12-18
授权公布号	CN204303819U	授权公告日	2015-04-29
分类号	H01L29/861;H01L29/06
分类	基本电气元件;
申请人名称	江苏宏微科技股份有限公司
申请人地址	江苏省常州市新北区华山中路18号

专利法律状态

2019-03-12

避免重复授权放弃专利权

状态信息

避免重复授予专利权；IPC(主分类):H01L 29/861；专利号:ZL2014208069848；申请日:20141218；授权公告日:20150429；放弃生效日:20190312
2015-04-29

授权

状态信息

授权

摘要

本实用新型涉及一种沟槽式快恢复二极管，在场氧化层的有源区窗口内间隔设有三个以上沟槽氧化层和位于两沟槽氧化层之间的沟槽外注入区，沟槽氧化层内凹的空腔内填有沟槽多晶硅，各沟槽氧化层的底部与沟槽P⁺型杂质层相连，沟槽外注入区具有依次相连的N型杂质电荷积累层、沟槽外P型杂质层和沟槽外P⁺杂质层，N型杂质电荷积累层不超出沟槽氧化层的底部；场氧化层有源区窗口外的终端区内具有终端P型杂质层，场氧化层的上部具有终端多晶硅场板层，金属阳极层与终端多晶硅场板层、沟槽氧化层、沟槽多晶硅以及沟槽外P⁺杂质层连接。本实用新型有正向压降低、恢复时间短、UIS能力高、软恢复特性好的特点，便于工业化生产。

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