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专利状态

新型沟槽IGBT半导体器件

有效

专利申请进度

申请

2021-05-24

授权

2022-01-18

预估到期

2031-05-24

专利基础信息

申请号	CN202121121004.7	申请日	2021-05-24
授权公布号	CN215578580U	授权公告日	2022-01-18
分类号	H01L29/739;H01L29/06;H01L29/423;H01L21/331
分类	基本电气元件;
申请人名称	江苏宏微科技股份有限公司
申请人地址	江苏省常州市新北区华山中路18号

专利法律状态

2022-01-18

授权

状态信息

授权

摘要

本实用新型提供了一种新型沟槽IGBT半导体器件，包括衬底，以及在所述衬底上依次外延形成的基区、阱区、源区，并且在所述基区和所述阱区中还设有多个真沟槽栅单元，以及设置于相邻所述真沟槽栅单元之间的假沟槽栅单元，其中，每个所述真沟槽栅单元两侧分别设有源区，并且在每个所述真沟槽栅单元和每个所述假沟槽栅单元底部还设有底部掺杂区。本实用新型能够实现局部超结结构以提高击穿电压，并能够实现结构厚度的降低以减小压降，从而能够减小电容面积和密勒电容，保证器件的性能。

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