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专利状态
绝缘栅双极晶体管的背面结构及其制作方法
有效
专利申请进度
申请
2015-12-18
申请公布
2016-04-13
授权
2018-12-21
预估到期
2035-12-18
专利基础信息
申请号 CN201510961999.0 申请日 2015-12-18
申请公布号 CN105489638A 申请公布日 2016-04-13
授权公布号 CN105489638B 授权公告日 2018-12-21
分类号 H01L29/06;H01L29/08;H01L29/417;H01L29/739;H01L29/66;H01L21/28
分类 基本电气元件;
申请人名称 江苏宏微科技股份有限公司
申请人地址 江苏省常州市新北区华山中路18号
专利法律状态
  • 2018-12-21
    授权
    状态信息
    授权
  • 2016-05-11
    实质审查的生效
    状态信息
    实质审查的生效IPC(主分类):H01L 29/06申请日:20151218
  • 2016-04-13
    公布
    状态信息
    公开
摘要
本发明涉及一种绝缘栅双极晶体管的背面结构,在硅片的背面间隔设有背面沟槽,背面沟槽的槽壁与水平面之间的夹角α在60~88°,在背面沟槽的沟槽底部及侧壁通过注入形成沟槽状的N+型场截止层及沟槽状的P+型集电极层,沟槽状的N+型场截止层与N型衬底相连,沟槽状的P+型集电极层与N+型场截止层的槽底及侧壁相连,N+型场截止层的沟槽顶面和P+型集电极层的沟槽顶面与N+型集电极层相连,连接在N+型集电极层6上的背面的金属层5及设置在对应背面沟槽4内金属层5的凸起5‑1形成集电极。本发明能降低制造成本和碎片率,不需要借助薄片工艺即可实现场截止型绝缘栅双极晶体管。