双向功率器件及其制造方法

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专利状态

双向功率器件及其制造方法

有效

专利申请进度

申请

2019-04-03

申请公布

2019-08-16

授权

2024-02-23

预估到期

2039-04-03

专利基础信息

申请号	CN201910267734.9	申请日	2019-04-03
申请公布号	CN110137242A	申请公布日	2019-08-16
授权公布号	CN110137242B	授权公告日	2024-02-23
分类号	H01L29/06;H01L29/10;H01L29/423;H01L29/78
分类	基本电气元件;
申请人名称	杭州士兰微电子股份有限公司
申请人地址	浙江省杭州市黄姑山路4号

专利法律状态

2024-02-23

授权

状态信息

授权
2019-09-10

实质审查的生效

状态信息

实质审查的生效；IPC(主分类):H01L29/06；申请日:20190403
2019-08-16

公布

状态信息

公布

摘要

公开了一种双向功率器件及其制造方法，双向功率器件包括：半导体层；位于半导体层中的沟槽；位于所述沟槽侧壁上的栅介质层；位于所述沟槽下部的控制栅；位于所述沟槽上部的屏蔽栅，其中，所述控制栅和所述屏蔽栅彼此接触，所述控制栅与所述半导体层之间由所述栅介质层隔开。本申请的屏蔽栅位于彼此接触的控制栅上，且通过屏蔽介质层与源区和漏区隔离，双向功率器件截止时屏蔽栅通过屏蔽介质层耗尽第二掺杂区的电荷，提高耐压特性；双向功率器件导通时，源区和/或漏区与半导体层提供低阻抗的导通路径。

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