沟槽栅MOSFET功率半导体器件及其多晶硅填充方法和制造方法

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专利状态

沟槽栅MOSFET功率半导体器件及其多晶硅填充方法和制造方法

有效

专利申请进度

申请

2020-01-02

申请公布

2020-07-10

授权

2022-01-04

预估到期

2040-01-02

专利基础信息

申请号	CN202010007896.1	申请日	2020-01-02
申请公布号	CN111403282A	申请公布日	2020-07-10
授权公布号	CN111403282B	授权公告日	2022-01-04
分类号	H01L21/336;H01L21/28;H01L29/78
分类	基本电气元件;
申请人名称	杭州士兰微电子股份有限公司
申请人地址	浙江省杭州市黄姑山路4号

专利法律状态

2022-01-04

授权

状态信息

授权
2020-08-04

实质审查的生效

状态信息

实质审查的生效；IPC(主分类):H01L21/336；申请日:20200102
2020-07-10

公布

状态信息

公布

摘要

本申请公开了沟槽栅MOSFET功率半导体器件及其多晶硅填充方法和制造方法。该填充方法包括：在半导体衬底上的外延层中形成沟槽；在所述外延层表面和沟槽中形成绝缘层，所述绝缘层围绕沟槽形成空腔；在所述外延层表面和所述空腔中形成第i多晶硅层；对所述第i多晶硅层进行回蚀刻；在暴露出的所述第i多晶硅层内部的空洞或缝隙上形成第i+1多晶硅层；去除位于所述外延层表面上方的所述第i+1多晶硅层和位于所述外延层表面上方的所述绝缘层，所述第i多晶硅层至所述第i+1多晶硅层形成屏蔽导体。本申请在沟槽中形成多个多晶硅层以消除空洞或缝隙，从而可以提高功率半导体器件的良率、可靠性和延长寿命。

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