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专利状态

双向功率器件

有效

专利申请进度

申请

2020-10-27

授权

2021-07-09

预估到期

2030-10-27

专利基础信息

申请号	CN202022417356.9	申请日	2020-10-27
授权公布号	CN213660409U	授权公告日	2021-07-09
分类号	H01L29/06;H01L27/02
分类	基本电气元件;
申请人名称	杭州士兰微电子股份有限公司
申请人地址	浙江省杭州市黄姑山路4号

专利法律状态

2021-07-09

授权

状态信息

授权

摘要

本申请公开了一种双向功率器件，包括：衬底；外延层，位于衬底上；第一掺杂区，位于外延层中；导电通道，自外延层表面向衬底延伸，并与衬底接触；第一沟槽区的多个沟槽，位于第一掺杂区中，将第一掺杂区分隔为交替的第一类子掺杂区与第二类子掺杂区；栅介质层，覆盖第一沟槽区的多个沟槽的下部侧壁；屏蔽介质层，覆盖第一沟槽区的多个沟槽的上部侧壁；以及栅极导体，位于第一沟槽区的多个沟槽中，并分别与栅介质层和屏蔽介质层接触，其中，栅极导体包括相连的控制栅与屏蔽栅，控制栅与栅介质层接触，屏蔽栅与屏蔽介质层接触。该双向功率器件通过与衬底连接的导电通道降低了器件的体电阻，提升了双向功率器件的性能。

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