半导体晶体管外延结构、其制备方法及半导体晶体管

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专利状态

半导体晶体管外延结构、其制备方法及半导体晶体管

有效

专利申请进度

申请

2021-05-14

申请公布

2021-08-20

授权

2022-11-01

预估到期

2041-05-14

专利基础信息

申请号	CN202110529996.5	申请日	2021-05-14
申请公布号	CN113284947A	申请公布日	2021-08-20
授权公布号	CN113284947B	授权公告日	2022-11-01
分类号	H01L29/778;H01L29/06;H01L21/336
分类	基本电气元件;
申请人名称	杭州士兰微电子股份有限公司
申请人地址	浙江省杭州市黄姑山路4号

专利法律状态

2022-11-01

授权

状态信息

授权
2021-08-20

公布

状态信息

公布

摘要

本发明提供了一种半导体晶体管外延结构、其制备方法及半导体晶体管，其中所述半导体晶体管外延结构从下至上依次包括：衬底、成核层、缓冲层、沟道层、复合势垒层以及P型层，其中，所述复合势垒层包括依次层叠的第一势垒层和第二势垒层，且所述第二势垒层的Al组分含量低于所述第一势垒层的Al组分含量。即本发明提供的半导体晶体管外延结构中含有复合势垒层，能够保证晶体质量的同时，可以加强沟道二维电子气的量子限制，减小电子遂穿几率，从而更有效地缓解电流崩塌和栅极漏电流，提升晶体管器件性能。

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