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专利状态
一种半蚀刻引线框架结构
有效
专利申请进度
申请
2019-11-16
授权
2020-06-23
预估到期
2029-11-16
专利基础信息
申请号
CN201921979846.9
申请日
2019-11-16
授权公布号
CN210837734U
授权公告日
2020-06-23
分类号
H01L23/495;H01L21/48
分类
基本电气元件;
申请人名称
江苏长电科技股份有限公司
申请人地址
江苏省无锡市江阴市江阴高新区长山路78号
专利法律状态
2020-06-23
授权
状态信息
授权
摘要
本实用新型涉及一种半蚀刻引线框架结构,它包括第一图形层(1),所述第一图形层(1)上设置有第二图形层(2),所述第一图形层(1)和第二图形层(2)之间设置有第一抗蚀层(4),所述第一图形层(1)、第二图形层(2)和第一抗蚀层(4)外围包封有绝缘材料(3),所述第二图形层(2)表面部分区域设置有第二抗蚀层(6),所述第二图形层(2)表面未设置第二抗蚀层(6)的区域蚀刻至第一抗蚀层(4)从而形成半蚀刻凹槽(5)。本实用新型一种半蚀刻引线框架结构,它解决了传统工艺难以解决的均匀性问题,可以满足客户更多的半蚀刻深度要求,且工艺简单,生产周期短管控成本低,从而大大提高了产品在市场上的竞争优势。
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