一种半导体封装结构及其制造方法

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专利状态

一种半导体封装结构及其制造方法

有效

专利申请进度

申请

2020-06-30

申请公布

2020-10-27

授权

2021-12-24

预估到期

2040-06-30

专利基础信息

申请号	CN202010614283.4	申请日	2020-06-30
申请公布号	CN111834329A	申请公布日	2020-10-27
授权公布号	CN111834329B	授权公告日	2021-12-24
分类号	H01L23/498;H01L23/13;H01L23/14;H01L21/48
分类	基本电气元件;
申请人名称	江苏长电科技股份有限公司
申请人地址	江苏省无锡市江阴市江阴高新区长山路78号

专利法律状态

2021-12-24

授权

状态信息

授权
2020-11-13

实质审查的生效

状态信息

实质审查的生效；IPC(主分类):H01L23/498；申请日:20200630
2020-10-27

公布

状态信息

公布

摘要

本发明涉及一种半导体封装结构及其制造方法，所述封装结构它包括线路内芯(1)，所述线路内芯(1)包括上金属板(1.1)和下金属板(1.2)，所述上金属板(1.1)和下金属板(1.2)之间填充有塑料(2)，所述上金属板(1.1)正面设置有内引脚(4)，所述下金属板(1.2)背面设置有外引脚(5)，所述内引脚(3)上设置有芯片(7)，所述芯片(7)和焊线(8)外围包封有塑封料(9)。本发明直接在线路内芯中填充塑封料，不需使用玻璃纤维层，不需要开孔后再在孔中植入导电物质，简化了制造工艺，减少了制作成本，同时通过其结构比较稳定，在温度发生变化时不容易发生翘曲。

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