一种半导体晶圆的刷胶工艺方法

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专利状态

一种半导体晶圆的刷胶工艺方法

有效

专利申请进度

申请

2020-03-26

申请公布

2020-08-11

授权

2023-08-18

预估到期

2040-03-26

专利基础信息

申请号	CN202010223463.X	申请日	2020-03-26
申请公布号	CN111524815A	申请公布日	2020-08-11
授权公布号	CN111524815B	授权公告日	2023-08-18
分类号	H01L21/56;H01L21/67
分类	基本电气元件;
申请人名称	江苏长电科技股份有限公司
申请人地址	江苏省无锡市江阴市江阴高新区长山路78号

专利法律状态

2023-08-18

授权

状态信息

授权
2020-09-04

实质审查的生效

状态信息

实质审查的生效；IPC(主分类):H01L21/56；申请日:20200326
2020-08-11

公布

状态信息

公布

摘要

本发明涉及一种半导体晶圆的刷胶工艺方法，所述工艺包括以下步骤：步骤一、对晶圆背面进行第一次刷胶；步骤二、对第一次刷胶胶层进行全固化烘烤，使其与晶圆结合为一体；步骤三、对晶圆背面进行第二次刷胶；步骤四、对第二次刷胶胶层进行半固化烘烤，至此，二次刷胶工艺完成，最终在晶圆背面形成两层不同固化程度的胶层。本发明一种半导体晶圆的刷胶工艺方法，它能够解决传统一次刷胶过程中出现的因胶层被挤出以及硅屑进入半固化胶层而引起的短路漏电问题。

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