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专利状态
一种红外探测器及其制造方法
有效
专利申请进度
申请
2008-10-16
申请公布
2009-03-18
授权
2015-08-12
预估到期
2028-10-16
专利基础信息
申请号 CN200810201309.1 申请日 2008-10-16
申请公布号 CN101386402A 申请公布日 2009-03-18
授权公布号 CN101386402B 授权公告日 2015-08-12
分类号 B81B7/02;G01J5/10;B81C1/00
分类 微观结构技术〔7〕;
申请人名称 浙江大立科技股份有限公司
申请人地址 浙江省杭州市滨江区滨康路639号
专利法律状态
  • 2020-01-10
    专利权人的姓名或者名称、地址的变更
    状态信息
    专利权人的姓名或者名称、地址的变更;IPC(主分类):B81B7/02;变更事项:专利权人;变更前:上海集成电路研发中心有限公司;变更后:浙江大立科技股份有限公司;变更事项:地址;变更前:201203 上海市张江高科技园区碧波路177号华虹科技园4楼B区;变更后:310053 浙江省杭州市滨江区滨康路639号;变更事项:共同专利权人;变更前:浙江大立科技股份有限公司;变更后:上海集成电路研发中心有限公司
  • 2015-08-12
    授权
    状态信息
    授权
  • 2011-11-23
    实质审查的生效
    状态信息
    实质审查的生效IPC(主分类):B81B 7/02申请日:20081016
  • 2009-03-18
    公布
    状态信息
    公布
摘要
本发明公开了一种红外探测器及其制造方法,涉及红外探测器的制造工艺技术领域。本发明提供的一种红外探测器结构包括硅衬底、依次层叠在硅衬底上的探测器牺牲层、释放保护和支撑层、金属电极和探测器敏感材料层,其中,探测器敏感材料层形成于金属电极表面和未被金属电极覆盖的释放保护和支撑层表面,或者覆盖于释放保护和支撑层表面并填充在相邻金属电极之间。与现有技术相比,本发明提供的红外探测器及其制造方法,在制作完金属电极之后再沉积探测器敏感材料层,减少了后续工艺对探测器敏感材料层的损伤,并能避免金属电极间的短路,相应地可提高该红外探测器的性能、成品率和可靠性。