红外探测器及其制造方法_专利查询-品牌网

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专利状态

红外探测器及其制造方法

有效

专利申请进度

申请

2008-10-16

申请公布

2009-06-03

授权

2014-05-21

预估到期

2028-10-16

专利基础信息

申请号	CN200810201307.2	申请日	2008-10-16
申请公布号	CN101445215A	申请公布日	2009-06-03
授权公布号	CN101445215B	授权公告日	2014-05-21
分类号	B81B7/02;G01J5/10;B81C1/00
分类	微观结构技术〔7〕;
申请人名称	浙江大立科技股份有限公司
申请人地址	浙江省杭州市滨江区滨康路639号

专利法律状态

2020-04-17

专利权人的姓名或者名称、地址的变更

状态信息

专利权人的姓名或者名称、地址的变更；IPC(主分类):B81B7/02；变更事项:专利权人；变更前:上海集成电路研发中心有限公司；变更后:浙江大立科技股份有限公司；变更事项:地址；变更前:201203 上海市张江高科技园区碧波路177号华虹科技园4楼B区；变更后:310053 浙江省杭州市滨江区滨康路639号；变更事项:共同专利权人；变更前:浙江大立科技股份有限公司；变更后:上海集成电路研发中心有限公司
2014-05-21

授权

状态信息

授权
2011-11-23

实质审查的生效

状态信息

实质审查的生效IPC(主分类):B81B 7/02申请日:20081016
2009-06-03

公布

状态信息

公布

摘要

本发明提出一种红外探测器及其制造方法，在其硅衬底上依次沉积有金属反射层、介质层、牺牲层、敏感材料探测层和金属电极。金属反射层具有金属反射图案。介质层的高度与金属反射层的高度一致。本发明还提出上述红外探测器的制造方法，包括以下步骤：在硅衬底上形成金属反射层并实现其图形化；在金属反射层上形成介质层，并实现其平坦化；刻蚀介质并停在金属层上表面，确定介质层的高度与金属反射层的高度一致；沉积牺牲层；以及制作微桥红外吸收结构。

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