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专利状态
具有微桥结构的半导体结构及其形成方法、微结构传感器
有效
专利申请进度
申请
2019-11-28
申请公布
2020-04-17
授权
2021-12-10
预估到期
2039-11-28
专利基础信息
申请号 CN201911189546.5 申请日 2019-11-28
申请公布号 CN111024244A 申请公布日 2020-04-17
授权公布号 CN111024244B 授权公告日 2021-12-10
分类号 G01J5/20;B81B7/00;B81C1/00
分类 测量;测试;
申请人名称 浙江大立科技股份有限公司
申请人地址 浙江省杭州市滨江区滨康路639号
专利法律状态
  • 2021-12-10
    授权
    状态信息
    授权
  • 2020-05-12
    实质审查的生效
    状态信息
    实质审查的生效 IPC(主分类):G01J5/20
  • 2020-04-17
    公布
    状态信息
    公布
摘要
本发明涉及一种具有微桥结构的半导体结构及其形成方法、一种微结构传感器,所述半导体结构包括:基底,所述基底表面内形成有金属互连结构;导电柱,位于所述基底表面,与所述金属互连结构电连接;第一微桥结构,包括第一悬臂桥墩和第一桥面,所述第一悬臂桥墩底部下沉,固定于所述导电柱表面,与所述导电柱电连接,所述第一悬臂桥墩顶部支撑所述第一桥面悬空于所述基底上方,所述第一桥面包括敏感层,所述敏感层与所述第一悬臂桥墩之间电连接。上述半导体结构的微桥结构稳定性提高且灵敏度提高。