非制冷红外焦平面探测器及其制备方法

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专利状态

非制冷红外焦平面探测器及其制备方法

有效

专利申请进度

申请

2019-06-26

申请公布

2019-09-17

授权

2021-07-02

预估到期

2039-06-26

专利基础信息

申请号	CN201910561160.6	申请日	2019-06-26
申请公布号	CN110243481A	申请公布日	2019-09-17
授权公布号	CN110243481B	授权公告日	2021-07-02
分类号	G01J5/20
分类	测量；测试;
申请人名称	浙江大立科技股份有限公司
申请人地址	浙江省杭州市滨江区滨康路639号

专利法律状态

2021-07-02

授权

状态信息

授权
2019-10-15

实质审查的生效

状态信息

实质审查的生效；IPC(主分类):G01J5/20；申请日:20190626
2019-09-17

公布

状态信息

公布

摘要

本发明提供一种非制冷红外焦平面探测器及其制备方法，所述非制冷红外焦平面探测器包括基底及设置在所述基底上的红外传感像元，所述红外传感像元包括悬空于所述基底上方的微桥，所述微桥至少包括依次设置的热应变层、支撑层及热敏层，所述热应变层受热发生形变，并带动所述热敏层发生形变，并进一步引起所述热敏层的电阻的变化。本发明的优点在于，将热应变层的形变引起的热敏层的电阻变化与热敏层的热敏电阻的变化叠加，在相同红外辐射强度下，红外传感像元可以产生比传统像元更大的电阻变化，从而增强红外辐射热效应与红外传感像元的电阻变化之间的转换幅度的效果，达到提高非制冷红外焦平面探测器响应率和灵敏度的效果。

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