一种直拉单晶硅用加热器及单晶生长炉

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专利状态

一种直拉单晶硅用加热器及单晶生长炉

有效

专利申请进度

申请

2019-10-24

授权

2020-09-22

预估到期

2029-10-24

专利基础信息

申请号	CN201921802643.2	申请日	2019-10-24
授权公布号	CN211546715U	授权公告日	2020-09-22
分类号	C30B15/14;C30B29/06
分类	晶体生长〔3〕;
申请人名称	北京京运通科技股份有限公司
申请人地址	北京市大兴区经济技术开发区经海四路158号

专利法律状态

2020-09-22

授权

状态信息

授权

摘要

本实用新型涉及直拉单晶硅技术领域，公开了一种直拉单晶硅用加热器及单晶生长炉，该直拉单晶硅用加热器包括圆筒状的主发热体，主发热体的筒体上设置有沿周向交替分布的第一缝隙和第二缝隙，第一缝隙与第二缝隙均沿主发热体的轴心线方向延伸，且第一缝隙的开口朝向与第二缝隙的开口朝向相反，第一缝隙和第二缝隙将主发热体分成多根依次串联的发热条，第一缝隙和第二缝隙的中间区域的宽度小于两端的宽度，以使每根发热条中间区域的宽度大于其两端的宽度。该直拉单晶硅用加热器能降低纵向的温度梯度，进而降低直拉单晶硅中的氧含量，达到减弱直拉单晶硅氧施主效应的目的。

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