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专利状态

单晶炉连续拉晶设备

有效

专利申请进度

申请

2022-03-18

授权

2022-10-14

预估到期

2032-03-18

专利基础信息

申请号	CN202220604982.5	申请日	2022-03-18
授权公布号	CN217579139U	授权公告日	2022-10-14
分类号	C30B15/00;C30B29/06
分类	晶体生长〔3〕;
申请人名称	北京京运通科技股份有限公司
申请人地址	北京市大兴区经济技术开发区经海四路158号

专利法律状态

2022-10-14

授权

状态信息

授权

摘要

本实用新型涉及单晶硅生产技术领域,公开了一种单晶炉连续拉晶设备,该设备包括石英外埚、石英内埚、加热机构、加料机构以及拉晶机构；其中，加料机构用于向石英外埚的腔体中输送固态硅散料；加热机构用于对石英外埚的底部进行加热，以令固态硅散料转化成液态硅；石英内埚具有一个开孔，开孔沿竖直方向贯穿石英内埚；在水平方向上：石英内埚位于石英外埚的腔体的中部；在竖直方向上：石英内埚的顶部位于液态硅的液面之上，石英内埚的底部位于液态硅的液面之下，且石英内埚的底部与石英外埚的底部之间存在间隙；拉晶机构包括软轴，软轴用于与液面接触以形成硅晶体，且软轴在石英内埚上的正投影被开孔完全覆盖。

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