区熔晶体的自动生长方法及系统

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专利状态

区熔晶体的自动生长方法及系统

有效

专利申请进度

申请

2015-10-26

申请公布

2017-08-01

授权

2020-03-20

预估到期

2035-10-26

专利基础信息

申请号	CN201580000631.6	申请日	2015-10-26
申请公布号	CN107002276A	申请公布日	2017-08-01
授权公布号	CN107002276B	授权公告日	2020-03-20
分类号	C30B13/30;C30B29/06
分类	晶体生长〔3〕;
申请人名称	北京京运通科技股份有限公司
申请人地址	北京市大兴区经济技术开发区经海四路158号

专利法律状态

2020-03-20

授权

状态信息

授权
2017-08-25

实质审查的生效

状态信息

实质审查的生效；IPC(主分类):C30B13/30；申请日:20151026
2017-08-01

公布

状态信息

公布

摘要

本发明公开了一种区熔晶体的自动生长方法及系统，方法包括如下步骤：在自动扩肩生长阶段，当单晶的直径大于某层圆台形生长区间的下底面直径且小于上底面直径时，单晶所处的生长区间即为该层圆台形生长区间；单晶在所处的已配置生长参数的生长区间生长；其中，生长参数至少包括多晶下降速度和加热功率，分别按照已配置的函数关系调整使单晶按照所处的生长区间已配置的生长角度生长；其中，生长角度指的是圆台母线与下底面之间的夹角；当单晶的直径达到目标值时，切换至自动等径生长阶段，此时，单晶所处的生长区间是最上层的生长区间，单晶在该生长区间沿轴向生长。本发明生长的单晶的实际形状可以预知。

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