一种800公斤级单多晶硅的铸锭方法

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专利状态

一种800公斤级单多晶硅的铸锭方法

有效

专利申请进度

申请

2011-08-16

申请公布

2011-12-28

授权

2014-01-29

预估到期

2031-08-16

专利基础信息

申请号	CN201110234932.9	申请日	2011-08-16
申请公布号	CN102296352A	申请公布日	2011-12-28
授权公布号	CN102296352B	授权公告日	2014-01-29
分类号	C30B11/00;C30B28/06;C30B29/06
分类	晶体生长〔3〕;
申请人名称	北京京运通科技股份有限公司
申请人地址	北京市大兴区经济技术开发区经海四路158号

专利法律状态

2014-01-29

授权

状态信息

授权
2012-02-15

实质审查的生效

状态信息

实质审查的生效IPC(主分类):C30B 11/00申请日:20110816
2011-12-28

公布

状态信息

公开

摘要

本发明提供了一种800公斤级单多晶硅的铸锭方法，包括以下步骤：步骤一、选取1-50mm厚的长宽为156x156mm的方形单晶硅片紧密并均匀的铺设在底部外尺寸为1050x1050mm的坩埚底部；步骤二、在方形单晶硅片上添加原生多晶硅硅料及根据目标电阻率相配合的合金，共计装料至少800kg；步骤三、抽真空、检漏步骤；步骤四、加热步骤；步骤五、熔化步骤；步骤六、长晶步骤：保温30分钟之后，将隔热笼开启至8cm，并控制温度在一个小时内降低至1436℃，再将隔热笼开启至10cm，温度保持在1436℃；步骤七、退火步骤。通过本发明的方法制造出来的单多晶硅锭是单晶硅占大多数而多晶硅占少数的硅锭，并且可以一次铸造出800公斤以上的单多晶硅锭，极大地提高了生产效率。

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