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专利状态

多晶硅铸锭方法

有效

专利申请进度

申请

2012-01-17

申请公布

2013-07-17

授权

2015-07-08

预估到期

2032-01-17

专利基础信息

申请号	CN201210015367.1	申请日	2012-01-17
申请公布号	CN103205797A	申请公布日	2013-07-17
授权公布号	CN103205797B	授权公告日	2015-07-08
分类号	C30B11/00;C30B28/06;C30B29/06
分类	晶体生长〔3〕;
申请人名称	北京京运通科技股份有限公司
申请人地址	北京市通州区北京经济技术开发区经海四路158号

专利法律状态

2015-07-08

授权

状态信息

授权
2013-08-14

实质审查的生效

状态信息

实质审查的生效IPC(主分类):C30B 11/00申请日:20120117
2013-07-17

公布

状态信息

公开

摘要

本发明实施例公开了一种高效多晶硅铸锭方法，属于光伏技术领域。解决了现有的多晶硅铸锭方法生产效率低的技术问题。该高效多晶硅铸锭方法，包括投料、抽空检漏、加热、熔化、长晶、退火冷却；其中加热步骤中，先以真空模式与进气控制升至200mbar气体模式交替的方式，将加热功率由0Kw逐步升至140Kw，再将功率保持在140Kw，利用进气控制使炉室内压力逐步升至600mbar，最后利用出气控制将炉室内压力保持在600mbar，温度升至1520℃以上；之后进行熔化、长晶、快速退火、冷却。本发明应用于改进多晶硅铸锭的生产效率。

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