一种生产单晶硅的方法_专利查询-品牌网

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专利状态

一种生产单晶硅的方法

有效

专利申请进度

申请

2012-01-29

申请公布

2013-07-31

授权

2016-07-06

预估到期

2032-01-29

专利基础信息

申请号	CN201210020267.8	申请日	2012-01-29
申请公布号	CN103225110A	申请公布日	2013-07-31
授权公布号	CN103225110B	授权公告日	2016-07-06
分类号	C30B29/06;C30B11/00
分类	晶体生长〔3〕;
申请人名称	北京京运通科技股份有限公司
申请人地址	北京市大兴区经济技术开发区经海四路158号

专利法律状态

2016-07-06

授权

状态信息

授权
2013-08-28

实质审查的生效

状态信息

实质审查的生效IPC(主分类):C30B 29/06申请日:20120129
2013-07-31

公布

状态信息

公开

摘要

本发明涉及单晶硅技术领域，尤其涉及一种生产单晶硅的方法，包括在坩埚底部放置方单晶；在所述方单晶上放置硅料及合金；将所述坩埚放置在单晶硅炉内，经过加热、熔化、长晶、退火和冷却的过程，获得单晶硅锭；其中，所述熔化过程中当所述方单晶熔化到规定深度后，开始所述长晶过程；切割所述单晶硅锭，获得单晶硅片。使用本发明实施例提供的单晶硅生产的方法，通过将放置在坩埚中锋的方单晶熔化到规定深度后，再开始长晶过程，使得长晶时以熔化到规定深度的方单晶为晶核。而且，在长晶过程中控制长晶速度，由此提高单晶硅片的生产效率。

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