一种碳化硅炉控压真空系统

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专利状态

一种碳化硅炉控压真空系统

有效

专利申请进度

申请

2022-06-24

授权

2023-01-24

预估到期

2032-06-24

专利基础信息

申请号	CN202221609656.X	申请日	2022-06-24
授权公布号	CN218380495U	授权公告日	2023-01-24
分类号	F27D7/06;F27D19/00;C30B29/36;C30B35/00
分类	炉；窑；烘烤炉；蒸馏炉〔4〕;
申请人名称	北京京运通科技股份有限公司
申请人地址	北京市大兴区经济技术开发区经海四路158号

专利法律状态

2023-01-24

授权

状态信息

授权

摘要

本实用新型涉及单晶生长技术领域，公开一种碳化硅炉控压真空系统。该碳化硅炉控压真空系统包括：真空炉，真空炉具有用于晶体生长的炉膛；进气装置，进气装置与炉膛连接，用于为炉膛通入气体；抽气装置，抽气装置与炉膛连接，用于抽出炉膛内的气体；检测装置，检测装置用于检测炉膛内的气压。根据检测装置所得结果，通过进气装置与抽气装置对真空炉内压力进行联合控制，保证在不同阶段控制炉内压力始终有利于晶体生长，最终得到良率更高的碳化硅晶体。

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