一种类单晶硅铸锭用籽晶拼接方法

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专利状态

一种类单晶硅铸锭用籽晶拼接方法

有效

专利申请进度

申请

2012-12-26

申请公布

2013-04-24

授权

2015-09-16

预估到期

2032-12-26

专利基础信息

申请号	CN201210571603.8	申请日	2012-12-26
申请公布号	CN103060892A	申请公布日	2013-04-24
授权公布号	CN103060892B	授权公告日	2015-09-16
分类号	C30B11/14;C30B28/06;C30B29/06
分类	晶体生长〔3〕;
申请人名称	江西赛维LDK太阳能高科技有限公司
申请人地址	江西省新余市高新经济开发区赛维工业园专利办公室

专利法律状态

2015-09-16

授权

状态信息

授权
2013-05-29

实质审查的生效

状态信息

实质审查的生效IPC(主分类):C30B 11/14申请日:20121226
2013-04-24

公布

状态信息

公开

摘要

本发明公开了一种类单晶硅铸锭用籽晶拼接方法，用于定向凝固法类单晶硅铸锭，籽晶层由籽晶紧密排列而成，每两块籽晶拼接面上，至少一条所述拼接面的切线方向与坩埚底部平面的法线方向成α角，0°<α<90°。本发明采用拼接面切向与平底坩埚底部平面的法线方向，二者不重合的籽晶拼接方式，通过改变籽晶的形状来减少位错源、甚至减少多晶晶界的产生，实现全单晶，位错源少的类单晶生长。进而减少了硅片的位错缺陷，提高了单晶面积比例，提高了太阳能电池的光电转换效率、延长了电池的寿命，从而提高了光伏器件的性能。

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