一种类单晶硅铸锭用籽晶的粘连拼接方法及铸锭用坩埚

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专利状态

一种类单晶硅铸锭用籽晶的粘连拼接方法及铸锭用坩埚

有效

专利申请进度

申请

2014-05-08

申请公布

2014-07-30

授权

2016-05-25

预估到期

2034-05-08

专利基础信息

申请号	CN201410192435.0	申请日	2014-05-08
申请公布号	CN103952756A	申请公布日	2014-07-30
授权公布号	CN103952756B	授权公告日	2016-05-25
分类号	C30B29/06;C30B11/14
分类	晶体生长〔3〕;
申请人名称	江西赛维LDK太阳能高科技有限公司
申请人地址	江西省新余市高新经济开发区赛维工业园专利办公室

专利法律状态

2016-05-25

授权

状态信息

授权
2014-08-27

实质审查的生效

状态信息

实质审查的生效IPC(主分类):C30B 29/06申请日:20140508
2014-07-30

公布

状态信息

公布

摘要

本发明提供了一种类单晶硅铸锭用籽晶的粘连拼接方法，所述拼接方法采用无机粘结剂将相邻籽晶粘连拼接在一起形成籽晶层；所述无机粘结剂填充在所述籽晶层中籽晶与籽晶的拼接缝隙处，将所述籽晶层用于类单晶硅铸锭，可以有效避免铸锭过程中籽晶拼接缝隙处多晶和位错缺陷的产生，有利于获得缺陷少、转换效率高的类单晶硅锭，获得全单晶硅片的比例大幅提高。本发明还提供了一种设置有籽晶层的铸锭用坩埚，适用于高质量类单晶硅的大规模生产。

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