一种晶体硅及其制备方法_专利查询-品牌网

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专利状态

一种晶体硅及其制备方法

有效

专利申请进度

申请

2012-09-11

申请公布

2013-01-16

授权

2015-08-05

预估到期

2032-09-11

专利基础信息

申请号	CN201210333308.9	申请日	2012-09-11
申请公布号	CN102877129A	申请公布日	2013-01-16
授权公布号	CN102877129B	授权公告日	2015-08-05
分类号	C30B29/06;C30B28/06;C30B11/00
分类	晶体生长〔3〕;
申请人名称	江西赛维LDK太阳能高科技有限公司
申请人地址	江西省新余市高新经济开发区赛维工业园专利办公室

专利法律状态

2015-08-05

授权

状态信息

授权
2013-02-27

实质审查的生效

状态信息

实质审查的生效IPC(主分类):C30B 29/06申请日:20120911
2013-01-16

公布

状态信息

公开

摘要

本发明公开了一种晶体硅的制备方法，包括以下步骤：在坩埚底部中心随机铺设单晶硅籽晶，形成籽晶层，底部其余部位铺设形核源，形成形核源层；在籽晶层与形核源层上设置熔融状态的硅料，控制坩埚底部温度使得籽晶层和形核源层不被完全熔化；控制坩埚内的温度沿垂直与所述坩埚底部向上的方向逐渐上升形成温度梯度，使得熔化后的硅料在单晶硅籽晶与形核源上形核结晶，形成中心为类单晶外围为高效多晶的晶体硅。本发明还公开了通过上述制备方法制得的晶体硅。本发明制备方法减少了单晶硅籽晶的用量，节省了生产成本，提高了靠近坩埚侧壁的区域硅块的质量；制得的晶体硅同一硅锭中既有类单晶硅又有高效多晶硅，实现了类单晶和高效多晶的优势互补。

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