一种用于测量晶体硅铸锭过程中温度梯度的装置

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专利状态

一种用于测量晶体硅铸锭过程中温度梯度的装置

审中

专利申请进度

申请

2017-05-26

授权

2018-01-12

预估到期

2027-05-26

专利基础信息

申请号	CN201720604634.7	申请日	2017-05-26
授权公布号	CN206872983U	授权公告日	2018-01-12
分类号	C30B28/06;C30B29/06
分类	晶体生长〔3〕;
申请人名称	江西赛维LDK太阳能高科技有限公司
申请人地址	江西省新余市高新经济开发区赛维工业园专利办公室

专利法律状态

2018-01-12

授权

状态信息

授权

摘要

本实用新型提供了一种用于测量晶体硅铸锭过程中温度梯度的装置，包括测试棒、与所述测试棒的一端相连接的压力传感器，以及用于驱动所述测试棒进行上下直线运动的驱动装置；所述测试棒的另一端用于伸入铸锭炉的坩埚中测试糊状区的厚度，所述压力传感器用于实时监测所述测试棒在糊状区和硅熔体中上下直线运动过程中所产生的压力信号。本实用新型提供的用于测量晶体硅铸锭过程中温度梯度的装置，可方便快捷地测试得到晶体硅铸锭过程中温度梯度，根据温度梯度的变化可以调整铸锭工艺，使晶体硅内晶体缺陷及位错减少、纯净度提升，整体晶体硅少子寿命提升，从而达到电池的转换效率的提升。同时该装置结构简单、易操作。

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