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专利状态
一种高静电耐量的IGBT模块
有效
专利申请进度
申请
2016-03-22
授权
2016-08-03
预估到期
2026-03-22
专利基础信息
申请号 CN201620221283.7 申请日 2016-03-22
授权公布号 CN205428914U 授权公告日 2016-08-03
分类号 H01L25/07;H01L23/31
分类 基本电气元件;
申请人名称 富士电机(中国)有限公司
申请人地址 上海市浦东新区自由贸易试验区富特北路131号3层D部位
专利法律状态
  • 2016-08-03
    授权
    状态信息
    授权
摘要
本实用新型涉及一种高静电耐量的IGBT模块,由多个IGBT芯片通过电路桥接封装形成;其中,在每个IGBT芯片的门极和发射极之间连接设置一外置电阻,用以将IGBT芯片中积蓄的静电能量释放。本实用新型能有效提高IGBT芯片的防静电能力,减低门极与发射极因静电破坏的可能性,减少IGBT芯片失效率。