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专利状态

功率半导体模块

有效

专利申请进度

申请

2015-05-13

授权

2015-11-18

预估到期

2025-05-13

专利基础信息

申请号	CN201520307158.3	申请日	2015-05-13
授权公布号	CN204792786U	授权公告日	2015-11-18
分类号	H01L25/16;H01L23/04
分类	基本电气元件;
申请人名称	富士电机（中国）有限公司
申请人地址	上海市普陀区中山北路3000号长城大厦27楼

专利法律状态

2015-11-18

授权

状态信息

授权

摘要

本实用新型涉及一种功率半导体模块，包括：基板，在该基板上安装一个或多个功率半导体装置；壳体，该壳体将安装有功率半导体装置的基板收纳在内；盖板，该盖板覆盖在壳体上方以构成封闭的空间，所述功率半导体装置由IGBT、以及与所述IGBT反并联连接的二极管构成，所述IGBT的栅极和发射极分别与外部栅极端子和外部发射极端子相连接，在所述外部栅极端子和所述外部发射极端子之间、且在所述壳体的内表面，设置电容器。由此能在总损耗即开通损耗和反向恢复损耗之和不增加或略微增加的前提下，减小FWD反向恢复的dv/dt。

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