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专利状态

IGBT模块封装结构

有效

专利申请进度

申请

2019-11-01

授权

2020-05-15

预估到期

2029-11-01

专利基础信息

申请号	CN201921868366.5	申请日	2019-11-01
授权公布号	CN210535657U	授权公告日	2020-05-15
分类号	H01L23/492;H01L23/31;H01L29/739;H01L25/07;H01L23/58;G01K7/02
分类	基本电气元件;
申请人名称	富士电机（中国）有限公司
申请人地址	上海市普陀区凯旋北路1188号环球港B座26楼

专利法律状态

2020-05-15

授权

状态信息

授权

摘要

本实用新型提供了一种IGBT模块封装结构，包括：电性连接层，用于为设置其上的导体元件与外部元件提供电性连接媒介；芯片层，固定设置于电性连接层；端子；以及导线，用于实现电路互连；芯片层和端子经电性连接层由导线电性连接，也即，连接于芯片层和端子之间的导线与电性连接层部分连接，和芯片层和端子经导线直接电性连接的连接方式相比，能够使芯片层产生的热量至少部分经导线和电性连接层接触的区域传导至绝缘基板，这样就减少了导线传导至端子的热量，降低了端子的温度，有助于IGBT模块的正常工作，并减少了IGBT模块因过热而损毁的可能，进而增加了IGBT模块的使用寿命，解决了因端子处的热量难于散发而导致IGBT模块可能因过热而损坏的技术问题。

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