功率半导体模块及其散热系统

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专利状态

功率半导体模块及其散热系统

有效

专利申请进度

申请

2018-06-13

授权

2018-12-14

预估到期

2028-06-13

专利基础信息

申请号	CN201820912664.9	申请日	2018-06-13
授权公布号	CN208240664U	授权公告日	2018-12-14
分类号	H01L23/473;H01L23/31;H01L23/367
分类	基本电气元件;
申请人名称	富士电机（中国）有限公司
申请人地址	上海市普陀区凯旋北路1188号环球港B座26楼

专利法律状态

2018-12-14

授权

状态信息

授权

摘要

本实用新型提供了一种功率半导体模块，包括IGBT芯片、壳体以及壳体上设置的冷却液进口和冷却液出口，所述壳体具有腔体，所述腔体一端与所述冷却液进口连通，另一端与所述冷却液出口连通，所述IGBT芯片设置于所述腔体内部或侧壁。本实用新型通过将冷却液流道直接设置在功率模块内部，将IGBT芯片直接浸没在冷却液中，所述IGBT芯片能够与所述冷却液直接接触，省去了以往功率模块中必须经由绝缘基板、焊接层等中间物质传递热量的过程，进而降低了热源到环境间的热阻，提高了散热效率。

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