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专利状态

功率半导体模块

有效

专利申请进度

申请

2015-05-29

授权

2015-12-09

预估到期

2025-05-29

专利基础信息

申请号	CN201520362748.6	申请日	2015-05-29
授权公布号	CN204857730U	授权公告日	2015-12-09
分类号	H01L29/739;H01L23/552
分类	基本电气元件;
申请人名称	富士电机（中国）有限公司
申请人地址	上海市普陀区中山北路3000号长城大厦27楼

专利法律状态

2015-12-09

授权

状态信息

授权

摘要

本实用新型提供一种能够降低辐射噪声的功率半导体模块，其包括：安装有一个或多个半导体元件(13)的基板(12)、将半导体元件(13)收纳在内的壳体(11)、覆盖在基板(12)上方以构成封闭空间的盖板(15)、以及连接线(20)，盖板(15)的面向半导体元件(13)的表面被铜箔层(21)覆盖，且盖板(15)中设有通孔(25)，连接线(20)的一端接地，另一端穿过通孔(25)与铜箔层(21)电连接。

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