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专利状态
IGBT模块
有效
专利申请进度
申请
2019-10-30
授权
2020-05-22
预估到期
2029-10-30
专利基础信息
申请号
CN201921849350.X
申请日
2019-10-30
授权公布号
CN210603634U
授权公告日
2020-05-22
分类号
G01K7/02;H01L23/58
分类
测量;测试;
申请人名称
富士电机(中国)有限公司
申请人地址
上海市普陀区凯旋北路1188号环球港B座26楼
专利法律状态
2020-05-22
授权
状态信息
授权
摘要
本实用新型所涉及的IGBT模块包括底座、内部电路和接线端子,底座具有孔部,在该孔部中嵌入有热电偶,且热电偶的辅助端子从IGBT模块的正面突出。由此,能利用热电偶对IGBT模块的Tc温度进行观察,并能实现更为精确、安全、迅速的温度保护。
更多专利
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功率半导体器件的分类系统和分类方法
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3
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6
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7
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8
门极电阻可调整的功率半导体模块
9
功率半导体模块
10
自动售货机
11
一种高静电耐量的IGBT模块
12
功率半导体模块
13
功率器件连接端子与基板的连接结构
14
IGBT模块
15
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