功率半导体模块和逆变器装置

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专利状态

功率半导体模块和逆变器装置

有效

专利申请进度

申请

2019-11-01

授权

2020-09-01

预估到期

2029-11-01

专利基础信息

申请号	CN201921871709.3	申请日	2019-11-01
授权公布号	CN211402616U	授权公告日	2020-09-01
分类号	G01R31/26
分类	测量；测试;
申请人名称	富士电机（中国）有限公司
申请人地址	上海市普陀区凯旋北路1188号环球港B座26楼

专利法律状态

2020-09-01

授权

状态信息

授权

摘要

本实用新型提供了一种功率半导体模块和逆变器装置，包括：功率半导体器件；饱和压降检测单元，与所述功率半导体器件电性连接，以用于检测所述功率半导体器件的饱和压降VCESAT；以及寿命提示单元，与所述饱和压降检测单元相连接，并能够根据所述饱和压降VCESAT发出提示信息，所述提示信息指示所述功率半导体器件的使用寿命，由于影响功率半导体器件寿命的主要原因是功率半导体器件材料结合部连接劣化，一般主要发生在绑定线与芯片结合处、芯片与DBC绝缘基板焊锡层、DBC绝缘基板与铜底板焊锡层，以上三处的连接劣化(松脱或剥离)都会导致连接处的电阻升高，进而导致饱和压降VCESAT的升高，通过对饱和压降VCESAT的检测，测算功率半导体器件的使用寿命。

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