门极电阻可调整的功率半导体模块

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专利状态

门极电阻可调整的功率半导体模块

有效

专利申请进度

申请

2018-08-24

授权

2019-02-01

预估到期

2028-08-24

专利基础信息

申请号	CN201821378056.0	申请日	2018-08-24
授权公布号	CN208461684U	授权公告日	2019-02-01
分类号	H02M1/00
分类	发电、变电或配电;
申请人名称	富士电机（中国）有限公司
申请人地址	上海市普陀区凯旋北路1188号环球港B座26楼

专利法律状态

2019-02-01

授权

状态信息

授权

摘要

本实用新型涉及一种门极电阻可调整的功率半导体模块，具有功率半导体芯片，所述功率半导体芯片的门极与驱动电路相连，所述驱动电路根据被提供的电平信号，调整所述功率半导体模块的门极电阻的大小，其特征在于，所述功率半导体模块具有：测定单元，该测定单元对所述功率半导体模块的开关速度进行测定；以及门极电阻调整单元，该门极电阻调整单元根据所述测定单元的测定值对所述门极电阻进行调整。

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