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专利状态
可自停止抛光的MRAM器件的制作方法与MRAM器件
有效
专利申请进度
申请
2017-12-28
申请公布
2019-07-05
授权
2023-10-20
预估到期
2037-12-28
专利基础信息
申请号 CN201711462222.5 申请日 2017-12-28
申请公布号 CN109980081A 申请公布日 2019-07-05
授权公布号 CN109980081B 授权公告日 2023-10-20
分类号 H10N50/10;H10N50/01;H10N50/80;H10B61/00
分类 基本电气元件;
申请人名称 中电海康集团有限公司
申请人地址 浙江省杭州市余杭区文一西路1500号1幢311室
专利法律状态
  • 2023-10-20
    授权
    状态信息
    授权
  • 2019-07-30
    实质审查的生效
    状态信息
    实质审查的生效;IPC(主分类):H01L43/08;申请日:20171228
  • 2019-07-05
    公布
    状态信息
    公布
摘要
本申请提供了一种可自停止抛光的MRAM器件的制作方法与MRAM器件。该制作方法包括:步骤S1,在衬底的表面上依次叠置设置底电极层和MTJ结构层;步骤S2,去除部分的底电极层以及部分的MTJ结构层,形成底电极以及预MTJ单元;步骤S3,在步骤S2形成的结构的裸露表面上设置第一介电层;步骤S4,对预MTJ单元进行刻蚀,形成MTJ单元,且MTJ单元与第一介电层之间具有凹槽;步骤S5,在步骤S4形成的结构的裸露表面上依次设置抛光阻挡层与第二介电层;步骤S6,至少采用化学机械抛光法去除第一表面所在平面上的第二介电层以及抛光阻挡层,获得平整的表面。该制作方法提高了整片晶圆表面均一性。