存储单元、存储器以及数据写入方法

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专利状态

存储单元、存储器以及数据写入方法

有效

专利申请进度

申请

2018-02-27

申请公布

2019-09-03

授权

2021-04-13

预估到期

2038-02-27

专利基础信息

申请号	CN201810162006.7	申请日	2018-02-27
申请公布号	CN110197682A	申请公布日	2019-09-03
授权公布号	CN110197682B	授权公告日	2021-04-13
分类号	G11C11/16
分类	信息存储;
申请人名称	中电海康集团有限公司
申请人地址	浙江省杭州市余杭区文一西路1500号1幢311

专利法律状态

2021-04-13

授权

状态信息

授权
2021-04-02

专利申请权、专利权的转移

状态信息

专利申请权的转移；IPC(主分类):G11C 11/16；专利申请号:2018101620067；登记生效日:20210319；变更事项:申请人；变更前权利人:中电海康集团有限公司；变更后权利人:中电海康集团有限公司；变更事项:地址；变更前权利人:311121 浙江省杭州市余杭区文一西路1500号1幢311室；变更后权利人:311121 浙江省杭州市余杭区文一西路1500号1幢311；变更事项:申请人；变更前权利人:；变更后权利人:浙江驰拓科技有限公司
2019-09-27

实质审查的生效

状态信息

实质审查的生效；IPC(主分类):G11C 11/16；专利申请号:2018101620067；申请日:20180227
2019-09-03

发明专利申请公布

状态信息

公布

摘要

本申请提供了一种存储单元、存储器以及数据写入方法。该存储单元包括：自旋轨道矩提供结构，包括两个自旋轨道矩提供线，分别为第一自旋轨道矩提供线与第二自旋轨道矩提供线，第一自旋轨道矩提供线与第二自旋轨道矩提供线对于相同方向的写入电流产生的自旋电流的自旋极化方向不同；两个存储结构，分别为第一存储结构与第二存储结构，且两个存储结构间隔设置，第一存储结构设置在第一自旋轨道矩提供线的表面上，第二存储结构设置在第二自旋轨道矩提供线的表面上，且各存储结构包括与自旋轨道矩提供线接触设置的自由层。该存储单元的写入速度较快。

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