MRAM器件与其制作方法_专利查询-品牌网

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专利状态

MRAM器件与其制作方法

有效

专利申请进度

申请

2018-06-27

申请公布

2020-01-03

授权

2021-12-28

预估到期

2038-06-27

专利基础信息

申请号	CN201810682586.2	申请日	2018-06-27
申请公布号	CN110648960A	申请公布日	2020-01-03
授权公布号	CN110648960B	授权公告日	2021-12-28
分类号	H01L21/768;H01L23/538;H01L27/22
分类	基本电气元件;
申请人名称	中电海康集团有限公司
申请人地址	浙江省杭州市余杭区文一西路1500号1幢311

专利法律状态

2021-12-28

授权

状态信息

授权
2021-12-24

专利申请权、专利权的转移

状态信息

专利申请权的转移；IPC(主分类):H01L21/768；登记生效日:20211210；变更事项:申请人；变更前:中电海康集团有限公司；变更后:中电海康集团有限公司；变更事项:地址；变更前:311121 浙江省杭州市余杭区文一西路1500号1幢311室；变更后:311121 浙江省杭州市余杭区文一西路1500号1幢311；变更事项:申请人；变更后:浙江驰拓科技有限公司
2020-02-04

实质审查的生效

状态信息

实质审查的生效；IPC(主分类):H01L21/768；申请日:20180627
2020-01-03

公布

状态信息

公布

摘要

本申请提供了一种MRAM器件与其制作方法。该制作方法包括：步骤S1，在互连介质层中设置第一互连部和第二互连部；步骤S2，在互连介质层的表面上依次设置第一刻蚀阻挡层和第一介质层；步骤S3，在第一互连部上方的第一刻蚀阻挡层和第一介质层内形成第一金属孔；步骤S4，在第一互连部上方的第一介质层的表面上依次设置底电极、MTJ单元、顶电极与第二刻蚀阻挡层；步骤S5，在第二介质层的远离第一介质层的表面上依次设置第三介质层、第三刻蚀阻挡层和第四介质层；步骤S6，开设第二通孔与第三通孔；步骤S7，在第二通孔和第三通孔中填充金属。该制作方法减小了工艺难度，提高了器件的成本率。

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