MTJ底电极及其制造方法_专利查询-品牌网

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专利状态

MTJ底电极及其制造方法

有效

专利申请进度

申请

2019-09-18

申请公布

2021-03-19

授权

2023-04-07

预估到期

2039-09-18

专利基础信息

申请号	CN201910884168.6	申请日	2019-09-18
申请公布号	CN112531102A	申请公布日	2021-03-19
授权公布号	CN112531102B	授权公告日	2023-04-07
分类号	H10N50/10;H10N50/85;H10N50/01
分类	基本电气元件;
申请人名称	中电海康集团有限公司
申请人地址	浙江省杭州市余杭区文一西路1500号1幢311室

专利法律状态

2023-04-07

授权

状态信息

授权
2021-03-19

公布

状态信息

公布

摘要

本发明提供一种MTJ底电极及其制造方法。所述MTJ底电极包括：堆叠设置的底电极衬底层和底电极缓冲层，所述底电极衬底层下表面和底部导电金属直接接触，所述底电极缓冲层的上表面和磁性隧道结接触，其中，所述底电极缓冲层的材料的原子量小于所述底电极衬底层的材料的原子量。本发明能够提高刻蚀选择比，减小后段MTJ刻蚀过程中的金属沉积污染，且溅射到MTJ表面的底电极材料更易清洗。

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