MRAM的制备方法_专利查询-品牌网

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专利状态

MRAM的制备方法

有效

专利申请进度

申请

2019-03-11

申请公布

2020-09-22

授权

2023-04-07

预估到期

2039-03-11

专利基础信息

申请号	CN201910181479.6	申请日	2019-03-11
申请公布号	CN111697131A	申请公布日	2020-09-22
授权公布号	CN111697131B	授权公告日	2023-04-07
分类号	H10N50/01;H10N50/10
分类	基本电气元件;
申请人名称	中电海康集团有限公司
申请人地址	浙江省杭州市余杭区文一西路1500号1幢311室

专利法律状态

2023-04-07

授权

状态信息

授权
2020-09-22

公布

状态信息

公布

摘要

本发明提供一种MRAM的制备方法。所述方法包括：在衬底上形成底电极层并图形化所述底电极层以形成多个底电极；通过沉积工艺形成磁性隧道结堆叠件，使得在所述底电极的顶面上形成所述磁性隧道结堆叠件的第一部分，并且在与所述底电极的顶面不同的水平面上形成所述磁性隧道结堆叠件的第二部分；实施去除工艺以去除所述磁性隧道结堆叠件的所述第一部分的两侧壁边缘部分，并去除所述磁性隧道结堆叠件的所述第二部分。本发明能够减少MTJ发生短路的几率，提高器件良率。

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