一种立体结构磁性随机存储器的制作方法

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专利状态

一种立体结构磁性随机存储器的制作方法

有效

专利申请进度

申请

2018-01-18

申请公布

2019-07-26

授权

2023-06-16

预估到期

2038-01-18

专利基础信息

申请号	CN201810048261.9	申请日	2018-01-18
申请公布号	CN110061125A	申请公布日	2019-07-26
授权公布号	CN110061125B	授权公告日	2023-06-16
分类号	H10N50/10;H10N50/01;H10B61/00
分类	基本电气元件;
申请人名称	中电海康集团有限公司
申请人地址	浙江省杭州市余杭区文一西路1500号1幢311室

专利法律状态

2023-06-16

授权

状态信息

授权
2019-11-05

实质审查的生效

状态信息

实质审查的生效；IPC(主分类):H01L43/08；申请日:20180118
2019-07-26

公布

状态信息

公布

摘要

本发明公开了一种立体结构磁性随机存储器的制作方法，先在衬底上沉积第一电极层，根据预设的MTJ单元层数量，按照同样的方法在第一电极层上依次生成多层的MTJ单元，形成立体结构；然后在立体结构中每列MTJ单元之间刻蚀出沟道，在沟道中制作选择开关管，最后在沟道中进行氧化物沉积，并沿沟道的侧墙刻蚀掉沉积的氧化物，在沟道中进行衬底离子注入和外延，并刻蚀出隔离槽，对隔离槽用绝缘材料填充，最后再进行离子注入完成制备。本发明将平面结构立体化，在不增加面积的情况下，使得磁性随机存储器的容量成倍增加。

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